异质结太阳电池英文名称缩写为hit(heterojunction with intrinsic thin-layer),中文名称为本征薄膜异质结电池。异质结电池最早由日本三洋公司于1990年研发成功,并被注册为商标。由于hit电池的特殊结构,其衰减程度要显著低于perc电池:
* hit电池表面的tco具有导电特性,电荷不会在表面产生极化现象,无电位诱导衰减pid;
* n型硅片掺磷,没有硼氧复合体和硼铁复合体,光致衰减lid很小
据相关数据显示,hit电池的首年衰减和年均衰减均低于perc电池,并得到电站发电实证。